集成电路工艺培训班

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一、集成电路制造的前工艺集成技术

二、集成电路制造的后道工艺集成技术

三、PVD工艺技术

四、CVD工艺技术

五、litho工艺技术

六、刻蚀的基本原理

七、IBE刻蚀原理及设备

八、RIE刻蚀原理及设备

九、ICP刻蚀原理及设备

十、工艺过程、检测及仪器

十一、氧化

　　 1.　二氧化硅（SiO2）的性质及作用

　　 2.　热氧化生长SiO2

十二、　光刻与刻蚀

　　 1.　光刻工艺流程
　　 2.　光刻胶的基本属性

十三、　掺杂

　　 1.　扩散　
　　 2.　离子注入

十四、　淀积

　　 1.　物理气相淀积

　　 2.　化学气相淀积

十五、　接触与互连

十六、　CMOS工艺主要流程

十七、前端闸极设计、

十八、 信道结构、 源汲极浅结构，以及

十九、 后端铜导线工艺整合

二十、总结与强化讲解

★ 外延生长
★ 掩膜制版工艺
★ 光刻
★ 热氧化
★ 掺杂工艺（热扩散、离子注入）
★ 刻蚀
★ 化学气相淀积
★ 镀膜
★ 集成电路工艺集成技术(MOS工艺、双极型工艺)

一、集成电路各类产品与应用

二、常用材料使用简介

三、集成电路英文应用

四、集成电路厂务与环境

五、封装基础知识

六、集成SOP学习

七、集成电路设备

九、应急处理

十、质量环境及工作安全教育

十一、集成电路封装
1，封装概念
2、封装的目的和要求
3、封装的技术层次
4、封装技术的历史和发展
5、封装的分类
6、封装业的发展

十二、封装制造最先进的封装和集成技术解决方案，包括FOWLP、PoP、FCCSP、ETS、EPS、EDS、FC-QFN、InFO、Coreless、Silicon Interposer、TSV、SiP、IPD、RDL、Fine pitch Copper Pillar等；

十三、长期困扰大多数同行的常见技术难题及其对应的策略与建议：包括如何进行封装选型、如何进行封装的Cost Down、如何设计低成本高速、高性能的封装、如何有效地进行封装设计的电性能SI/PI评估与仿真分析、如何进行封装系统的热分析与热管理、量产封装的可靠性设计与实效分析、芯片-封装-系统的协同设计等。

十四、集成电路多芯片组件（MCM）封装技术

十五、集成电路测试信号链接方法

十六、集成电路测试方法

十七、集成电路测试与封装技巧